【摘 要】
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基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理赝势法,对MgF2（010）面及吸附Ag的构型进行了优化,并计算了MgF2（010）面吸附Ag体系的吸附能、电子结构和光学性能.结果表明,MgF2（010）面能隙低于体相
【机 构】
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太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原理工大学材料科学与工程学院,太原理工大学物理与光电工程系
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基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理赝势法,对MgF2（010）面及吸附Ag的构型进行了优化,并计算了MgF2（010）面吸附Ag体系的吸附能、电子结构和光学性能.结果表明,MgF2（010）面能隙低于体相,态密度分裂,出现表面态.Ag在MgF2（010）面的吸附属于稳定的化学吸附,最佳吸附位为最外层F的四重穴位.吸附机理主要表现为Ag的4p轨道与第二层的Mg的2p和3s轨道之间发生相互作用,有少量电荷从Ag向Mg迁移.吸附Ag后,可见光波段的光吸收增加,Ag吸附后将使体系在可见光波段出现吸收峰.
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