论文部分内容阅读
本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容,成本低、易于批量生产,具有高的性能/价格比。
集成三漏CMOS磁敏传感器
【摘 要】
：
本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点,且制造工艺与标准铝栅CMOS
【机 构】
：
天津大学电子工程系,天津大学电子工程系天津300072,天津300072,天津300072
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
1993年9期
其他文献
本文利用Rolle定理证明了一个差值取样谱函数定理.阐明了,只要陷阱弛豫原函数满足这个定理的必要条件,则其差值取样转换函数——弛豫谱函数就一定具有谱峰特征.这个定理也为
审查起诉阶段的讯问环节包含有侦查、核实证据、诉讼监督、保障犯罪嫌疑人合法权益等多项职能,尤其对于不如实供述自己的犯罪行为或在侦查阶段既无供述亦不辩解的犯罪嫌疑人,
期刊
我们研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)超晶格p-i-n二极管在超晶格光吸收边附近的室温光电流随电压的变化。Wannier局域化导致的-1h和-2h激子跃迁产生两个光电流负微分
心理学是研究人的心理现象及其发生、发展规律的科学，主要内容包括人的认知过程、情感态度、心理意志、行为素养等。转化学困生是每位教师都要面对，且必须高度重视的问题，研究学
用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺
为对长期运行的复合绝缘子性能进行评价,特选取了7支最长运行14年的复合绝缘子进行了综合试验,结果表明大部分复合绝缘子在经过十几年运行后各项机电技术性能指标仍能保持较
本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜（XTEM）等对150keV As<sup>+</sup>沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10<sup>14</s
基于门阵列的宏单元(Gate-Array-Based Macrocell)库是门阵自动设计系统不可分割的一部分,并对其设计效率和设计成功率有着重要影响.Gmacro是清华大学计算机系设计开发的门阵
采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波