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针对氢化微晶硅薄膜吸收系数较低、制备需要较高厚度，从而需要较高沉积速度的问题，考虑到压强对沉积速度及晶化比的重要影响，在分析了单一压强法制备薄膜优缺点的基础上，提出了采用两步法来制备高质量微晶硅薄膜的方法。即先采用高压制备薄膜2min，减小非晶转微晶的孵化层厚度，然后再采用低压制备薄膜18min，提高薄膜的致密度及减小氧含量，最后制备出了光敏性较高，晶化比较大并且光照稳定性也较好的优质氢化微晶硅薄膜。