【摘 要】
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比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验
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比较了硅光电器件和ＭＯＳ电容经３００ｋｅＶ质子和１．２５ＭｅＶ射线辐照后光电参数的变化，讨论了Υ射线辐照的样管在１５０℃和２００℃的退火效应。在硅器件的光谱响应范围内。将分光光度法得到的光电流谱用于上述实验，有助于了解不同辐照引起的损伤在器件中的空间分布。
The changes of the photoelectric parameters after the silicon optoelectronic device and the MOS capacitor were irradiated by 300keV proton and 1.25MeV radiation were discussed. The annealing effect of γ-ray irradiated sample tube at 150 ℃ and 200 ℃ was discussed. Within the spectral response of silicon devices. Using the photocurrent spectrum obtained by spectrophotometry in the above experiment, it is helpful to understand the spatial distribution of damage caused by different irradiation in the device.
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