【摘 要】
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采用高温固相法制备了一种新型的白光LED用Ca3Si2O4N2∶Eu2+,Ce3+,K+荧光粉.利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析,结果表明:Ce3+和K+离子的掺杂没有改变Ca3Si2O4N2∶E
【机 构】
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中国计量学院光学与电子科技学院,中国计量学院材料科学与工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金;浙江省自然科学基金;浙江省科技计划项目
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采用高温固相法制备了一种新型的白光LED用Ca3Si2O4N2∶Eu2+,Ce3+,K+荧光粉.利用X射线衍射仪对样品的物相结构进行了分析,结果表明:Ce3+和K+离子的掺杂没有改变Ca3Si2O4N2∶Eu2+荧光粉的主晶相.利用荧光光谱仪对样品的发光性能进行了测试,发现样品在355 nm激发下得到的发射光谱为峰值位于505 nm的单峰,是Eu2+离子5d-4f电子跃迁引起的.Ca3Si2O4N2∶Eu2+荧光粉通过Ce3+和K+离子的掺杂,发光明显增强.当Ce3+的摩尔分数为1％时,荧光粉的发光强度达到最大值,是单掺Eu2+离子荧光粉发光强度的168％.通过光谱重叠的方法计算Ce3+→Eu2+能量传递临界的距离为2.535 nm.
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