【摘 要】
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采用两步水热法，结合高温煅烧工艺，制备了直接生长在泡沫Ni基底上的C包覆CoMoO4复合纳米片阵列材料。利用X射线衍射仪（XRD）、能谱仪（EDS）和场发射扫描电子显微镜（SEM）分析C包覆CoMoO4
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采用两步水热法，结合高温煅烧工艺，制备了直接生长在泡沫Ni基底上的C包覆CoMoO4复合纳米片阵列材料。利用X射线衍射仪（XRD）、能谱仪（EDS）和场发射扫描电子显微镜（SEM）分析C包覆CoMoO4的结构特征，结果表明C成功包覆在多孔交联CoMoO4纳米片的表面。通过循环伏安法和恒流充放电法分析C包覆CoM0O4的电化学性能，发现C包覆显著提高CoMoO4的比电容和循环性能。在1A／g的电流密度下循环2000次，最高比电容达1864．79F／g，比电容保持率86．65％。比电容和循环性能的改善是由于碳
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