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本文报导了1.3μm InGaAsP/InP内反射干涉型动态单模半导体激光器,器件由质子轰击工艺形成中段耦合干涉腔,最高单模运转调制速率达600 MHz,典型边模抑制比为20∶1。更多还原
动态单模InGaAsP／InP内反射干涉半导体激光器
【摘 要】
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本文报导了1.3μm InGaAsP/InP内反射干涉型动态单模半导体激光器,器件由质子轰击工艺形成中段耦合干涉腔,最高单模运转调制速率达600 MHz,典型边模抑制比为20∶1。更多还原
【机 构】
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吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春,长春,长春
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1992年1期
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