【摘 要】
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Ⅲ V族氮化物是从绿光到紫外波长范围内的最有前途的半导体材料。AlN能与GaN ,InN形成连续的合金体系 ,其直接带隙范围从 1 .9eV ,一直延续到 6 .2eV。其中 ,AlN与GaN的合金(
【机 构】
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中国科学院凝聚态物理中心中国科学院物理研究所
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Ⅲ V族氮化物是从绿光到紫外波长范围内的最有前途的半导体材料。AlN能与GaN ,InN形成连续的合金体系 ,其直接带隙范围从 1 .9eV ,一直延续到 6 .2eV。其中 ,AlN与GaN的合金(AlGaN) ,能发出从绿光到紫外波段的光。另外 ,AlN的高硬度、高热导率、抗高温及抗化学腐蚀的性质 ,使得AlN成为令人注目的电子封装材料。AlN的宽能带也使得它成为GaAs和InP基电子器件的绝缘材料。另外 ,AlN的压电特性在声波器件方面也有应用。本文在低温热液条件下 ,合成了氮化铝纳米晶体。此纳米晶
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