论文部分内容阅读
本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法．在旋涂有ZnO的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的GaOOH构成的薄膜．然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌．结构和光学性能分别通过FESEM、EDS、TEM、XRD和PL谱进行了表征。结果表明：水热生成的GaOOH薄膜是由纺锤体形状GaOOH紧密排列形成，该纺锤体形状GaOOH有直径大约600nm。长约为1．5。2uLm。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化：但晶体结构由正交晶系相GaOOH转变为六