【摘 要】
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运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR)以及SiO2-PbO-Al2O3-P2O5复合材料(SPAP)。
【机 构】
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同济大学电信学院,常州晶麒新材料科技有限公司
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运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR)以及SiO2-PbO-Al2O3-P2O5复合材料(SPAP)。实验结果显示,STBR为微晶结构,其材料介电常数高达~2000级别,而SPAP为非晶态结构,其介电常数小于3。恒压电晕充电后所有材料均可以获得与栅压相近的表面电位并在室温下保持一定时间;TSD热刺激放电显示3种材料的电荷输运特性各不相同,其中SiO2薄膜的负电流峰位于T=295℃
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