CaWO4粉体和CaWO4一维阵列的制备及光致发光特性

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采用溶胶-凝胶法及辅助氧化铝模板法分别制备CaWO4粉体和CaWO4一维阵列,研究合成CaWO4粉体和一维陈列的光致发光特性.结果表明,制备的样品是纯CaWO4粉体;CaWO4粉体的强发光峰是位于410 nm的宽带谱,而CaWO4一维阵列的强发光峰在450 nm处,其光致发光曲线呈现宽化和强发光峰位的红移,这是样品和模板的光致发光光谱耦合的结果.
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