【摘 要】
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通过对冷变形Cu-Ni-Si合金时效过程中电阻率变化规律的分析及透射电镜观察,发现该材料在450℃时效处理时,时效0.5h以内发生的主要转变有两类:一是在位错缠结处的择优析出;另
【机 构】
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西安交通大学材料学院,洛阳工学院材料系
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通过对冷变形Cu-Ni-Si合金时效过程中电阻率变化规律的分析及透射电镜观察,发现该材料在450℃时效处理时,时效0.5h以内发生的主要转变有两类:一是在位错缠结处的择优析出;另一个便是析出与再结晶协同作用而产生的类似不连续析出过程.这些过程的发生使铜基体得到快速净化,电阻率急剧下降.在时效1.5h后,主要发生的是均匀析出过程,析出相在被位错胞壁分割的亚晶内均匀析出,此外,时效初期形成的胞状组织通过第二相的熔断和球化转变为颗粒状第二相.
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