PIN管正偏注入的载流子在I层中分布的研究

来源 :湖南大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hwniuniu

【摘要】

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本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按

【作者】

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张益才

【机构】

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湖南大学应用物理系

【出处】

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湖南大学学报：自然科学版

【发表日期】

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1992年2期

【关键词】

：

PIN二极管载流子注入电子浓度 electron density hole carrier injection/PIN diode charge ne

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本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按扩散距离的负指数函数在Ⅰ层中分布.这样,其载流子一载流子散射效应可忽略不计,其俄歇复合较小,比用电中性近似求得的载流子分布的俄歇复合要小许多倍.

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