【摘 要】
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采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了掺Sb2O3的SnO2基陶瓷。研究了烧结温度及Sb2O3的含量对SnO2基陶瓷的密度、物相、结构和电学性能的影响。研究表明:随着烧结温度的提高,SnO
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室
【基金项目】
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湖北省创新团队项目(2008CDA011)
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采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了掺Sb2O3的SnO2基陶瓷。研究了烧结温度及Sb2O3的含量对SnO2基陶瓷的密度、物相、结构和电学性能的影响。研究表明:随着烧结温度的提高,SnO2基陶瓷的相对密度逐渐增大,室温电阻率呈先减小后增大的趋势;随着Sb2O3掺杂量的增加,样品的相对密度呈先增加后减小的趋势,室温电阻率先减小后增大,烧结温度950℃,Sb2O3掺杂量0.5%时,室温电阻率达到极小值,2.35×10-2Ω.cm。分析认为,SPS烧结和Sb在SnO2中固溶对SnO2基陶瓷的致密化和导电性起到了作用。
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