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采用高温溶液法生长了掺质Ge4+含量不同的Ge :KTP系列晶体。研究了掺质Ge4+离子对KTP溶液性质的影响 ,发现掺质溶液体系更加稳定 ,易于生长出光学质量的单晶。用等离子体发射光谱测定了Ge4+离子在晶体中的含量 ,并计算出Ge4+离子在晶体中的分配系数 ,表明了Ge4+离子较容易进入晶格格位。测定的Ge :KTP晶体的晶胞体积小于纯KTP晶体。测定的光透过曲线与纯KTP晶体的相似 ,Ge :KTP晶体仍保持了较高的光透过率与较宽的透光波段。Ge :KTP晶体的Raman谱与纯KTP晶体的相比有所不