等离子电弧蒸发及后续氮化法制备AIN纳米线

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采用两步熔铝氮化法成功地制备出了AlN纳米线。首先,用含氮等离子体电弧法制得Al+AlN混合纳米粉。然后,再将Al+AlN混合纳米粉在750-850℃下保温1h进行氮化处理,制备出含有AlN纳米线的纯AlN纳米材料。经XRD、TEM和HR-TEM的测试表明:AlN纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10-50nm,长度为500nm-500μm。同时探讨了AlN纳米线的生长机制。
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