用反应离子束淀积多晶硅膜的薄膜晶体管

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本文研究了用于平板显示或三维集成电路的多晶硅薄膜晶体管(TFTs)。为了平板显示的运用,高度的希望在低温下制造TFTs,应用低成本的玻璃基质。然而,常规的低压化学汽相淀积(LPCVD)要求在温度高于625℃的情况下淀积多晶硅膜。因此, This paper studies polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs) for flat panel displays or three-dimensional integrated circuits. For flat panel display applications, it is highly desirable to fabricate TFTs at low temperatures using a low cost glass substrate. However, conventional low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) requires the deposition of polysilicon films at temperatures above 625 ° C. therefore,
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