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环硫铂鉴定会于济南召开
【摘 要】
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【出 处】
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中华肿瘤杂志
【发表日期】
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1984年06期
其他文献
绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO2/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层,可以有效控制深硅刻蚀的深度,从而得到厚度均匀、无残余应力的体硅薄膜。利用这层体硅薄膜作为微变形镜的镜面,对DRIE工艺和硅/玻阳极键合工艺等进行了深入研究,研制了基于SOI的薄膜式微变形镜的加工工艺,获得了微变形镜样件并进行了初步测试。该微变形镜采用静电力驱动,具有69个驱动单元,通光孔径为10 mm。经测试,其表面质量在7.6 mm×7.