【摘 要】
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采用固相烧结法制备了不同Gd掺杂含量的0.7Bi1-xGdxFe0.95Ga0.05O3-0.3BaTiO3(BGxFG-BT,x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷,系统研究了Gd掺杂对BGxFG-BT陶瓷的晶体结构、微观形貌、
【机 构】
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西南大学物理科学与技术学院,西南大学材料与能源学院
【基金项目】
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国家自然科学基金青年科学基金(批准号:51802270,51501159),中央高校基本科研业务费(批准号:XDJK2019C111,XDJK2019C003)资助的课题.
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采用固相烧结法制备了不同Gd掺杂含量的0.7Bi1-xGdxFe0.95Ga0.05O3-0.3BaTiO3(BGxFG-BT,x=0,0.05,0.1,0.15,0.2)陶瓷,系统研究了Gd掺杂对BGxFG-BT陶瓷的晶体结构、微观形貌、介电性能以及多铁性能的影响.通过X射线衍射图谱分析、扫描电镜形貌分析、X射线光电子能谱分析等工具表明,Gd掺杂会使BGxFG-BT陶瓷由菱面体(R3c)结构转变为赝立方(P4mm)结构,晶粒尺寸会明显减小,从未掺入Gd时的6.2μm降低到约3.2μm左右,同时发现少量的
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