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本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。更多还原
真空微电子器件硅锥阴极的工艺研究
【摘 要】
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本文介绍了利用半导体硅材料制作的真空微电子器件的核心部件,场致发射硅锥阴极,的工艺研究及实验结果。提出了两步腐蚀的工艺方案,制成了形状理想的锥体阴极。更多还原
【机 构】
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西安交通大学,西安交通大学陕西西安710049,陕西西安710049,陕西西安710049
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1992年4期
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