【摘 要】
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随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能产生的缺陷也越来越多。目前,业内人士正在
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随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能产生的缺陷也越来越多。目前,业内人士正在尝试降低晶圆边缘的缺陷密度,以提高晶圆的整体良率。为了提高良率,常见的晶圆斜面缺陷,例如剥落(或分层)、颗粒污染、电弧和微屏蔽等,是工程师关注的重点。下面,我们将详细说明上述缺陷,并探讨避免这些缺陷产生的方法。
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