【摘 要】
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采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测试手段对薄膜的表面形貌、成分和光学性能进行了表征。结果表明,薄膜的折射率和吸收系数均随x值的增大而增大;而光学带隙Eopt随x值的增大从2.01eV降到1.75eV。薄膜在可见光范围内透过率随着x值的增大而有所降低,且吸收边发生红移。
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院,成都610054
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采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜。研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测试手段对薄膜的表面形貌、成分和光学性能进行了表征。结果表明,薄膜的折射率和吸收系数均随x值的增大而增大;而光学带隙Eopt随x值的增大从2.01eV降到1.75eV。薄膜在可见光范围内透过率随着x值的增大而有所降低,且吸收边发生红移。
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