Optimum Design for a Low Noise Amplifier in S-Band

来源 :中国电子科技：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zlotu

【摘要】

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An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noi

【作者】

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Xin-Yan Gao Wen-Kai Xie Liang

【机构】

：

TheauthorsarcwithSchoolofPhysicalElectronics

【出处】

：

中国电子科技：英文版

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

噪音放大器噪音图形 S-参数稳定因子 Gain low noise amplifier （LNA） noise figure （NF） S-param

【基金项目】

：

This work was supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No.60401006, and the Vacuum Electronics National Laboratory under Grant No. NKLC001-053.

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An optimum design of a low noise amplifier (LNA) in S-band working at 2-4 GHz is described. Choosing FHC40LG high electronic mobility transistor (HEMT), the noise figure of the designed amplifier simulated by Microwave Office is no more than 1.5 dB, meanw

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