Ba(Al,Ga)BO3F2晶体的生长和表征

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  通过在BaAlBO3F2中掺杂Ga,合成了一种新的非线性晶体BaAl1-xGaxBO3F2,BaAl1-xGaxBO3F2体系的粉末X射线衍射图谱显示出与BABF相似的单相样品达到x=0.7。 采用B2O3-LiF-NaF通量系统的中部籽晶溶液生长技术,生长了BaAl1-xGaxBO3F2晶体的单晶,其反应物为氧化铝和氧化镓,配比为0.5:0.5。在BaAl1-xGaxBO3F2晶体的透射光谱中观察到了较宽的透射范围。
  1引言
  BaAlBO3F2(BABF)作为一种非线性光学晶体具有潜在的应用前景。2002年,胡章贵等人对BABF的晶体结构进行了修改,报道了BABF属于P6的空间群,晶胞参数a=4.8879(6)?,c=9.403(1)?,Z=2。2009年,胡章贵等人提出BABF的空间群应该是P2c而不是之前报道的P6。岳银超等人使用LiF–B2O3–NaF系统作为助熔剂获得了大尺寸的BABF晶体。周勇证明了在BABF晶体中高效的紫外(UV)激光产生,并报道了在BABF中实现了三次谐波产生。周勇还对BABF的非线性光学性质进行了研究,认为BABF晶体是一种很有前途的非线性光学材料,特别是在355nm处产生紫外光。
  BABF在空间群P2c中结晶,由(001)层角共享的AlO3F2三角形双锥和BO3三角形构成,Ba原子填充12个配位层间位。BaGaBO3F2(BGBF)具有与BABF相似的结构特征,含有GaO3F2三角形双锥和BO3三角形,但BGBF在P63/m的中心对称空间群中结晶,其结构与BABF有很大的不同。受何猛报道的Na+掺杂KABO的启发,本文将Ga和Al阳离子结合,得到了一种新型结构的Ba(Al,Ga)BO3F2化合物,并得到了该化合物的晶体,报道了对Ba(Al,Ga)BO3F2晶体的研究。
  2实验
  2.1 BaAl1-xGaxBO3F2的合成
  以BaF2、Al2O3、Ga2O3和H3BO3为分析纯化合物,以2:(1-x):x:2(0≤x≤1)的摩尔比,通过固相反应合成了BaAl1-xGaxBO3F2多晶样品。将混合料充分混合,在玛瑙砂浆中研磨,在300℃预热约10h,然后在800℃烧结48h,用X射线粉末衍射分析了产品中一系列不同的含Ga3+相。
  2.2 BaAl1-xGaxBO3F2晶体的生长
  在B2O3-LiF-NaF助熔剂体系中生长了BaAl1-xGaxBO3F2单晶。将陈述材料BaF2、Al2O3、Ga2O3和H3BO3以2:0.5:0.5:2的摩尔比称重,并与适当比例的B2O3-LiF-NaF助焊剂混合。然后将混合物放入铂坩埚中,放入马弗炉中,在1000℃快速熔化。铂坩埚充满后,送入三区电阻加热炉,升温至950℃。用铂搅拌器搅拌溶液24小时,然后缓慢冷却至熔点以上约10℃。溶液平衡数小时后,将试验种子浸入溶液中以确定饱和温度。随着溶液温度的降低,晶体开始生长。采用纯BABF晶体作为晶种,采用与BABF晶体生长相同的中间晶种溶液生长技术。从饱和温度开始,冷却速度设定在0.2~5℃/d,转速设定在20~40rpm,每2min反转一次,20d后得到尺寸为20×10×10mm3的晶体。
  3结果与讨论
  3.1 X射线衍射
  利用Bruker D8型CuKa(Ka1和Ka2)高级X射线衍射仪采集了BaAl1-xGaxBO3F2不同含Ga3+相的X射线粉末衍射数据。角度范围2θ取7°~70°,扫描步长0.02°,扫描速率1s/步。BaAl1-xGaxBO3F2系统的XDR模式显示,具有BABF结构的单相样品可以制备到x=0.7,并且当x>0.8时,单相样品类似于BGBF结构。
  3.2电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)
  采用ThermoFisher公司的IRIS Intrepid II XSP电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)分析表明,在BaAl1-xGaxBO3F2晶体中,Al2O3和Ga2O3的反应物的摩尔比为0.5:0.5,Al原子和Ga原子的摩尔比为0.58:0.42,Ga的有效偏析系数为0.84。
  3.3晶体结构分析
  安装尺寸约为0.3×0.27×0.17 mm的BaAl1-xGaxBO3F2透明块,用于结构测定。利用石墨单色化Mo Kα"辐射(λ=0.71073?)在配备Saturn CCD探测器的Rigaku AFC10衍射仪上收集单晶X射线衍射数据。在数据收集结束时,通过重新收集50个初始帧来监测晶体衰变。强度数据的收集是通过Crystalclear程序进行的。使用Crystalclear程序进行细胞细化和数据缩减。
  由结构数据可知,新晶体BaAl1-xGaxBO3F2为六方晶系,空间群P 2c,保留了BABF的结构类型。Ga原子仅仅占据了Al原子在晶胞中的位置,没有取代其他原子。Ga和Al在wyckoff位2d处发生无序化,细化后的Ga/Al比为0.389/0.611,与ICP测试结果相似,表明Ga进入晶格并取代了Al,晶体的分子式为BaAl0.61Ga0.39BO3F2。与BABF相比,BaAl1-xGaxBO3F2的晶胞参数a和b略有下降,而c略有上升。其原因可以解释为Ga的原子直径大于Al的原子直径,因此当Ga进入晶格并占据Al的位置时,径向距离被拉长。为了保持低能量,水平距离相应缩短。
  3.4透射光谱
  在lambda900uv/VIS/NIR(Perkin-Elmer)分光光度计上记录了BaAl1-xGaxBO3F2晶体的透射光谱。所用的样品是从生长的晶体上切下的,厚度为3.0mm。记录了BaAl1-xGaxBO3F2晶体在185~3000nm范围内的透射光谱,观察到宽的透射范围,截止波长在265nm附近。
  3.5折射率
  用最小偏差法测量了BaAl1-xGaxBO3F2在2.325mm至0.2537mm波长范围内的折射率。
  为了验证所得结果,我们计算了实测数据和计算数据之间的差异。根据该方程拟合得到的曲线与实验数据吻合良好,我们可以计算BABF和BaAl1-xGaxBO3F2在0.266nm、0.355nm、0.532nm和1.064nm波长下的双折射?n,可以看到,BaAl1-xGaxBO3F2晶体的双折射与BABF晶体的一致,但BaAl1-xGaxBO3F2晶体的双折射有所增加。
  3.6二次谐波产生效率
  BaAl1-xGaxBO3F2的倍频特性用Kurtz方法进行了评估。用这两种尺寸的网片制备50-60μm和98-105μm的样品,用手压入直径为1cm的带两个玻璃窗的圆盒中,用Nd:YAG激光照射。我们还制备了与对比样品尺寸相同的KDP和BABF样品。实验结果显示,BaAl1-xGaxBO3F2的倍频效率与BABF相当,但略大于BABF,约为KDP的2倍。
  4结论
  在BaAlBO3F2中,Al3+可以被Ga3+取代,从而得到一种新化合物BaAl1-xGaxBO3F2。BaAl1-xGaxBO3F2体系的粉末XRD图谱显示,单相样品与BABF相似,x=0.7。采用中间籽晶溶液生长技术,以Al2O3和Ga2O3为反应物,以0.5:0.5的比例生长了BaAl1-xGaxBO3F2单晶,晶体尺寸为20×10×10mm3。BaAl1-xGaxBO3F2在空间群P 2c中结晶,晶胞尺寸a=4.8749,c=9.4159。Ga原子只是占据了Al原子在晶胞中的位置,没有取代其它原子。晶体的分子式为BaAl0.61Ga0.39BO3F2。在185~3000nm范围内记录了透射光谱,观察到了较宽的透射范围。用最小偏差法测量了材料的折射率,得到了Sellmeier方程,計算得到的BaAl1-xGaxBO3F2的双折射率与BABF相当。BaAl1-xGaxBO3F2的倍频效率与BABF相当,约为KDP的2倍。BaAl1-xGaxBO3F2晶体的激光发生实验正在进行中。
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