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ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族直接带隙化合物材料，是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时，可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1：4的条件下，可得到结晶质量良好的ZnO薄膜；通过退火可以使薄膜应力得到驰豫，降低缺陷浓度，改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法，最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的Zn