Ag掺杂ZnO缺陷形成能的第一性原理研究

来源 :哈尔滨师范大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tobydu
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了在富氧和富锌条件下单原子Ag和多原子Ag掺杂ZnO的缺陷形成能.结果表明:在富氧条件下单原子掺杂时,AgZn缺陷形成能低于AgO和Agi的形成能,说明杂质Ag最可能以替代Zn位出现;由AgZn能级跃迁图发现,富氧条件下Ag-1Zn没有电子态间的跃迁,由此获得的P型半导体更加稳定;无论在富氧还是富锌的条件下,随着Ag掺杂浓度的增加,ZnO的缺陷形成能也增加,说明不易形成多原子的替位掺杂.在两个原子掺杂时,聚集型掺杂比分散型掺杂形成能要低,说明Ag替Zn位掺杂易产生
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