【摘 要】
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以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO（SnO2：F）透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点研发计划资助项目(2016YFB0303900)
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以单丁基三氯化锡为Sn源,氟化铵为F源,甲醇为溶剂,采用超声雾化-气溶胶辅助气相化学沉积方法制备了均匀的FTO（SnO2：F）透明导电薄膜。运用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜、透射电子显微镜、霍尔效应测试仪等方法研究了镀膜时间对FTO薄膜微观结构和光电性能的影响规律。结果表明,薄膜物相为（200）晶面择优生长的金红石相Sn O2;随镀膜时间增加,薄膜表面颗粒粗化,厚度近似呈线性增加;镀膜时间每延长2 min,可见光区主波长（550 nm）透过率下降约10%,中远红外光区平均反射率先增大后减
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