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主要研究了Nb2O5和La2O3双施主掺杂对SrTiO3陶瓷半导化及显微结构的影响。采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中（N2＋石墨）制备了半导化的SrTiO3陶瓷，讨论了在稀土添加总量为0．9％（摩尔分数）的条件下，Nb2O5：La2O3比对SrTiO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响。研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响。Nb2O5：La2O3为2：1时样品室温电阻率为0．89Ω·cm，显微结构较为理想。在此基础上，获得压敏与介电性能较佳的双