【摘 要】
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采用磁控溅射方法在硅片上制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜,结合拉曼光谱仪和椭偏仪等手段对样品进行了表征.结果表明,掺入氮气后,α-GaAs薄膜的拉曼光谱有明显变化；随
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采用磁控溅射方法在硅片上制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜,结合拉曼光谱仪和椭偏仪等手段对样品进行了表征.结果表明,掺入氮气后,α-GaAs薄膜的拉曼光谱有明显变化；随着氮偏压的升高,α-GaAs1-xNx薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,其峰值向短波长略微移动.另外,α-GaAs1-xNx薄膜在红外和近红外波段内几乎是透明的.
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