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通过对陶瓷-金属封接结构的合理调整，解决了功率FET封装中瓷裂的问题，使封接强度和可靠性有明显提高，并成功地应用于实际。
功率FET封装中瓷裂问题的探讨
【摘 要】
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通过对陶瓷-金属封接结构的合理调整，解决了功率FET封装中瓷裂的问题，使封接强度和可靠性有明显提高，并成功地应用于实际。
【机 构】
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南京电子器件研究所!南京,210016
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1999年2期
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