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报道了一种新结构的功率栅控晶闸管,称其为槽栅MOS控制的晶闸管(TMCT),在该器件结构中,采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭,结构中不存在任何的寄生器件,因此,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题,所以TMCT会有优良的电特性,实验结果表明,多元胞TMCT(600V,有源区面积0.2mm2)的开态压降在300A/cm2时为1.25V,最大可控电流在 坟为-20V和电感负载下达到了296A/cm2。