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报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT），在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭，结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题，所以TMCT会有优良的电特性，实验结果表明，多元胞TMCT（600V，有源区面积0．2mm2)的开态压降在300A／cm2时为1．25V，最大可控电流在 坟为－20V和电感负载下达到了296A／cm2。