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根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术
【摘 要】
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根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术--M-PEL.初步实验证明,M-pEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所,中国科学院微电子中心,英国卢瑟福国家实验室微结构研究中心
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2002年5期
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