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该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT（绝缘门极双极型晶体管）电流容量限制的问题，受MOSFET（电力场效应晶体管）并联扩流成功应用的启发，提出采用多IGBT的并联技术，解决进一步提高逆变电源容量的难题。在分析IGBT工作机理基础上，给出了电路拓扑及其工作原理，并对并联器件产生的均流问题进行了重点分析，提出了相应的解决方法，推荐了IGBT并联应用的厚膜集成驱动电路。通过理论分析和计算机仿真结果表明：在大容量逆变电源中采用IGBT并联技术是有效可行的，它可以显著增加整机的电流容量，提高电源的有效功率。