【摘 要】
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本文简要地回顾集成电路存储器的发展历程.从一九七○年英特尔公司研制1K位DRAM开始,每隔三年左右容量便增大3倍,迄今的十六年间,容量已增大4000倍.文章着重指出了集成电路存
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本文简要地回顾集成电路存储器的发展历程.从一九七○年英特尔公司研制1K位DRAM开始,每隔三年左右容量便增大3倍,迄今的十六年间,容量已增大4000倍.文章着重指出了集成电路存储器今后的发展方向:(1)大容量化,(2)低功耗化,(3)高速化,(4)高功能化,(5)专用化,(6)封装小型化.
This article briefly reviews the history of integrated circuit memory, starting with the development of 1K-bit DRAM by Intel Corporation in 1970 and a threefold increase in capacity every three years or so, with a 4000-fold increase in capacity over the sixteen years to date. The paper points out the future development of integrated circuit memory: (1) large capacity, (2) low power consumption, (3) high speed, (4) high functionalization, miniaturization.
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