【摘 要】
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生产大规模集成电路用的硅外延片,易被直接接触的石墨基座沾污,造成“自渗杂”。本文试用LPCVD法在硅片外延用的石墨基座表面包复SiC,获得厚～20微米,致密均匀,纯度很高的α-Si
【机 构】
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上海有色金属研究所,上海有色金属研究所,上海有色金属研究所,上海有色金属研究所,
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生产大规模集成电路用的硅外延片,易被直接接触的石墨基座沾污,造成“自渗杂”。本文试用LPCVD法在硅片外延用的石墨基座表面包复SiC,获得厚～20微米,致密均匀,纯度很高的α-SiC涂层,在硅片外延时有效地防止了石墨基坯中的碳和其它杂质对硅片的沾污。在生产应用试验中制得了高质量的硅外延片。
Silicon epitaxial wafers used in the manufacture of large scale integrated circuits are easily contaminated by direct contact with graphite bases, resulting in “self-infiltrating miscellaneous”. In this paper, LPCVD method is used to coat SiC on the surface of graphite substrate used for epitaxial wafers to obtain α-SiC coating with a thickness of ~ 20 μm, dense and uniform and high purity, which effectively prevents the graphite base blank Contamination of wafers by carbon and other impurities. In the production application test made of high-quality silicon epitaxial wafers.
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