【摘 要】
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本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引起的．文中还分析了在浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ量子阱中能够实现与激
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
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本文主要研究浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱在７７Ｋ温度下的光致发光．在不同激发密度下，讨论了该结构的发光机制，把７７Ｋ温度下的受激发射归结为是激子－激子散射所引起的．文中还分析了在浅ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ量子阱中能够实现与激子相关的受激发射的原因
This paper focuses on the photoluminescence of a shallow ZnCdSe / ZnSe single quantum well at 77K. At different excitation densities, the luminescence mechanism of the structure is discussed. The stimulated emission at 77K is attributed to exciton-exciton scattering. The paper also analyzes the reason why exciton-related stimulated emission can be achieved in a shallow ZnCdSe / ZnSe quantum well
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