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以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件的工艺设计具有普遍意义。
PMOS栅氧化过程中杂质分凝的计算机模拟
【摘 要】
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以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式。该成果对Ｐ沟道ＭＯＳ器件的工艺设计具有普遍意义。
【机 构】
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山东工业大学电子工程系
【出 处】
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山东工业大学学报
【发表日期】
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1999年4期
【基金项目】
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山东省科委资助
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