【摘 要】
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意法半导体宣布开发出用于低功率、无线及便携消费装置的下一代系统级芯片(SoC)产品所需的45nm CMOS设计平台。该公司采用数只门限晶体管的低功率方案所用的硅面积比用65nm设
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意法半导体宣布开发出用于低功率、无线及便携消费装置的下一代系统级芯片(SoC)产品所需的45nm CMOS设计平台。该公司采用数只门限晶体管的低功率方案所用的硅面积比用65nm设计的减少了一半。同时,这项工艺技术将速度提高了20%,工作时的泄漏电流减小了约一半,待机状态泄漏电流?
STMicroelectronics has announced the development of the 45nm CMOS design platform needed for next-generation system-on-chip (SoC) products for low-power, wireless and portable consumer devices. The company uses a few gates of transistors in low-power silicon area used by the design of a 65% reduction in half. At the same time, the process technology will increase the speed of 20%, working leakage current reduced by about half, the standby state leakage current?
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