棒状氧化镓的合成和发光性质研究

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利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β—Ga2O3。X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为B—Ga2O3。利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70~200nm左右。室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射。另外,简单讨论棒状β—Ga2O3的生长机制。
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