【摘 要】
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据《Microwaye & RF》1989年2月刊报道,HEMT和HBT在毫米波的应用上显示出许多优越性。目前国际上已有许多厂家生产HEMT器件。 休斯公司认为,生产栅长短于0.1μm的器件不存在
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据《Microwaye & RF》1989年2月刊报道,HEMT和HBT在毫米波的应用上显示出许多优越性。目前国际上已有许多厂家生产HEMT器件。 休斯公司认为,生产栅长短于0.1μm的器件不存在问题,他们已研制了在60GHz下有0.8dB噪声系数的GalnAs HEMT器件,其衬底为InP,栅长为0.1μm。休斯公司预言:HEMT在100GHz下具有2～3dB的噪声系数是可能的。
According to “Microwaye & RF” February 1989 issue, HEMT and HBT show many advantages in millimeter wave applications. At present, there are many manufacturers in the world to produce HEMT devices. Hughes believes it is not a problem to produce devices with gate lengths shorter than 0.1 μm and they have developed GalnAs HEMT devices with a 0.8-dB noise figure at 60 GHz with a substrate of InP and a gate length of 0.1 μm. Hughes predicts that it is possible for a HEMT to have a noise figure of 2 to 3 dB at 100 GHz.
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