【摘 要】
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【目的】为了解决偏振不敏感光分束器带宽受限问题，文章提出了一种基于氮化硅(Si3N4)波导的超宽带偏振不敏感光分束器。【方法】该偏振不敏感光分束器采用绝热耦合波导结构设计，可以在1 400～1 700 nm范围内实现横电（TE）模式和横磁（TM）模式的光均匀分束（光学带宽为300 nm）。【结果】在工作波长范围内TE模式和TM模式的损耗分别小于0.10和0.15 dB。而且该超宽带偏振不敏感光分束
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【目的】为了解决偏振不敏感光分束器带宽受限问题，文章提出了一种基于氮化硅(Si3N4)波导的超宽带偏振不敏感光分束器。【方法】该偏振不敏感光分束器采用绝热耦合波导结构设计，可以在1 400～1 700 nm范围内实现横电（TE）模式和横磁（TM）模式的光均匀分束（光学带宽为300 nm）。【结果】在工作波长范围内TE模式和TM模式的损耗分别小于0.10和0.15 dB。而且该超宽带偏振不敏感光分束器的结构尺寸小，仅为60.00μm×2.75μm，便于实现大规模集成。此外，文章还研究了该超宽带偏振不敏感光分束器各结构参数对器件性能的影响。【结论】结果显示，各结构参数在±50nm的变化范围内，该超宽带偏振不敏感光分束器的性能基本没有影响。表示该超宽带偏振不敏感光分束器具备较大的制备容差，易于制备。
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