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本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化。本文对于氢在薄膜沉积过程听剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究。
利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究
【摘 要】
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本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化。本文对于氢在薄膜沉积过程听剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构物理实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1994年9期
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