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要用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜。利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量。结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０＾１５ｃｍ＾－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散。外延层的质量随着膜的增加而得到明显的改善。在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近