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要用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜。利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量。结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×10^15cm^-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散。外延层的质量随着膜的增加而得到明显的改善。在GaAs/Si界面及其附近