激光退火对多晶硅结构和电学性能的影响

来源 :北京大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:coral623
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利用调Q红宝石激光器(λ=6943A,τ=30mμs,能量1.8~2J/cm~2),对LPCVD和常压CVD生长的多晶硅薄膜(5000A)离子注入后进行退火。用透射电子显微镜观察晶粒结构;用X衍射仪测定其优选晶向;用Vanderpauw方法测定电阻率、迁移率和戴流子浓度;用阳极氧化逐步去层结合Vanderpauw霍耳测量测定截流子及迁移率分布。发现晶粒经激光退火后,由200~1000A~0增大至1μ量级;优选晶向增强(100)晶向;戴流子电激活几乎可达100%;迁移率符合王阳光等所提出的理论模型;戴流子在多晶硅膜内的分布变的更加平坦。
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