High power λ~8.5 μm quantum cascade laser grown by MOCVD operating continuous-wave up to 408 K

来源 :半导体学报(英文版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yudsly2001
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Robust quantum cascade laser(QCL)enduring high temperature continuous-wave(CW)operation is of critical import-ance for some applications.We report on the realization of lattice-matched InGaAs/lnAIAs/InP QCL materials grown by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD).High interface quality structures designed for light emission at 8.5μmare achieved by optimizing and precise controlling of growth conditions.A CW output power of 1.04 W at 288 K was obtained from a 4 mm-long and 10 μm-wide coated laser.Corresponding maximum wall-plug efficiency and threshold current density were 7.1%and 1.18 kA/cm2,respectively.The device can operate in CW mode up to 408 K with an output power of 160 mW.
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