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主要研究了0.2Mrad60Coγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压几乎没有变化。这些变化是由于辐照产生的缺陷和陷阱使得2DEG浓度和迁移率下降,进而造成了器件的退化。
<sup>60</sup>Co γ射线辐照对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响
【摘 要】
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主要研究了0.2Mrad60Coγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加、栅漏二极管的正/反向电流增大,而阈值电压
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年S1期
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