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质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响

来源 :现代应用物理 | 被引量 : 0次 | 上传用户：uouopolo

【作 者】

：

马腾  崔江维  郑齐文  魏莹  赵京昊  梁晓雯  余学峰 

【出 处】

：

现代应用物理

【发表日期】

：

2017年12期

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