【摘 要】
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在蓝宝石衬底上,利用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备p-i-n结构AlGaN基体,采用常规工艺制作台面型紫外探测器。电子束蒸发蒸镀Ni/Au/Ni/Au(20nm/20nm/20nm/20nm)结构
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院,中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,
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在蓝宝石衬底上,利用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备p-i-n结构AlGaN基体,采用常规工艺制作台面型紫外探测器。电子束蒸发蒸镀Ni/Au/Ni/Au(20nm/20nm/20nm/20nm)结构制备p电极。经空气中550℃/3 min一次退火和N2气氛中750℃/30s二次退火后得到欧姆接触。利用高分辨透射电镜(HRTEM)和能谱(EDS)研究不同退火条件下p电极接触的组织结构演变。结果表明:一次退火p电极金属层出现明显扩散,但仍维持初始的分层状态,金属/半导体接触界面产生厚约4nm的非晶层;二次退火后,金属电极分层现象和界面非晶层消失。金/半界面结构表现为半共格关系,界面结构有序性提高。Ni向外扩散,Au向内扩散,Ga扩散至金属电极,造成界面附近金属层富集Au、Ga元素,导致p电极欧姆接触的形成。
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