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为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系，利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的（100）面上制备了类金刚石薄膜，反应气体是甲烷和氢气的混合气。研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响。采用Raman光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究，结果表明：制备的薄膜具有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀，随着入射功率的提高，薄膜的sp3含量、硬度以及弹性模量先增加后减小，并且在100W时达到最大值，在400W时薄膜出现碳化。