【摘 要】
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基于0.5μm SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环。重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现。与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性。该
【机 构】
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江南大学物联网工程学院,中国电子科技集团公司第58研究所,
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基于0.5μm SOI工艺,设计了一种具有抗单粒子效应的锁相环。重点对压控振荡器进行抗辐照加固,采用电流源放大器实现。与普通结构相比,提高了锁相环在辐照环境下的稳定性。该锁相环最高输出频率达到80MHz,动态电流为12.23mA,抗单粒子效应能力大于37 MeV·cm2/mg。
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